مقالات تخصصی
ناند فلشهای سهبعدی
بازار نیمهرسانا در حوزه ناند فلش بیشترین پیشرفت را در چند ماه اخیر تجربه کرده است و از این رو عرضهکنندگان این نوع تراشهها نیز تولید فناوریهای سهبعدی را در دستور کار خود قرار دادهاند تا از این طریق ظرفیت ذخیرهسازی ابزارهای تولیدی خود را افزایش دهند.
براساس پیشبینیهای صورت گرفته، تا سال 2017 میلادی تقریبا دو سوم یا 65.2 درصد از تمامی تراشههای ناند فلش عرضه شونده در سراسر دنیا با استفاده از فرایندهای تولیدی سهبعدی ساخته خواهند شد که در مقایسه با رقم یک درصد امسال افزایش قابل توجهی را نشان میدهد.
پیشبینی میشود که کل سهم بازار ناند فلش از فناوری سهبعدی به رقم 5.2 درصد در سال 2015 میلادی برسد و در سال 2016 این رقم به 49.8 درصد برسد که در واقع نیمی از بازار فلش مموری خواهد بود.
براساس برخی برآوردهای انجام شده تنها یک یا دو نسل تا پایان عمر ناند فلشهای فعلی باقی نماینده است. هرچه ابعاد این محصولات کوچکتر می شود از میزان عملکرد و اطمینانپذیری ناند فلشها نیز کاشته شده و از طرف دیگر قیمت آنها نیز پایین می آید. از سوی دیگر عرضهکنندگان ناند مجبور هستند که به ساخت محصولاتی با ابعاد کوچکتر و قیمت پایینتر ادامه دهند و برای همین بهترین راه حل پیش روی آنها استفاده از فناوری سهبعدی است.
یکی از عوامل کلیدی که باعث میشود تولیدکنندگان ناند همچنان در فکر بهبود محصولات خود باشند افزایش تقاضا از سوی تولیدکنندگان محصولات رسانهای نظیر تبلت و گوشی هوشمند است. این ابزارها به ظرفیت ذخیرهسازی بالا و در عین حال ارزان نیاز دارند تا فایلهایی نظیر عکس، موسیقی و ویدئو را در خود ذخیره نمایند.
یکی دیگر از ابعاد تولید فلش
از نظر تاریخی تولیدکنندگان ناند فلش برای افزایش ظرفیت و کاهش هزینه محصولات خود به کوچک گرایی و یا مینیاتوری نمودن محصولات خود روی آوردهاند. منظور از مینیاتوری نمودن این فناوری هم فرایند کوچک نمودن سلولهای ناند فلش است که به عرضهکنندگان امکان میدهد تعداد بیتهای بیشتری را روی هر یک از ویفرهای سیلیکونی ذخیره نمایند.
با استفاده از فناوری سهبعدی، تأکید روی مینیاتوری نمودن کم شده و به سمت افزایش تراکم حرکت میکند که این کار نیز با قرار دادن لایههای مختلف ناند فلش روی یکدیگر انجام میپذیرد. با این روش مقرون به صرفه فناوری ناند فلش وارد سطح جدیدی خواهد شد چراکه به این ترتیب همچنان امکان استفاده از تجهیزات فعلی تولیدی وجود خواهد داشت و در عین حال که بازگشت سرمایه به بالاترین میزان خود میرسد هزینه تولید نیز کمتر خواهد شد.
ابعاد اختراع
در حال حاضر سامسونگ و هاینیکس بزرگترین بازیگران بازار تجارت حافظه در دنیا هستند که در اجلاس ماه اوت فلش مموری در سانتا کلارا پیشقدم شدند تا از فناوری ناند سهبعدی در ساخت محصولات آتی خود بهره بگیرند.
در این اجلاس کمپانی سامسونگ اعلام کرد که تولید تجاری فلشمموریهای سهبعدی آن شرکت با نام V-NAND در سه ماهه دوم سال آغاز خواهد شد. محصول نهایی یک درایو SSD مبتنی بر فناوری V-NAND خواهد بود که در مدلهای 480 و 960 گیگابایتی عرضه خواهد شد. به گفته سامسونگ میزان اطمینانپذیری V-NANDنسبت به ناندهای یک نانومتری بالاتر خواهد بود و در عین حال مصرف انرژی آن کمتر است. همچنین گفته میشود که در موارد نوشتن تصادفی یا سلسلهمراتبی هم عملکرد این محصول بالاتر از مدلهای قبلی خواهد بود.
تفاوت قیمت میان درایوهای SSD نوع V-NaND و نمونههای ساخته شده با استفاده از فلشمموریهای سنتی بسیار بالا خواهد بود و به همین دلیل سامسونگ فعلا برنامهای برای فروش این محصول به مصرفکنندگان نهایی ندارد.