سامسونگ تولید ناند فلش های سه لایه را آغاز کرد!

کمپانی سامسونگ اعلام کرده است که خط تولید حافظه آن در چین کار تولید چیپ‌های حافظه سه بعدی جدید خود موسوم به 3D V-NAND را در مقیاس کامل آغاز کرده است. این اقدام به دنبال انتشار اعلامیه‌ای در ماه اوت صورت می‌گیرد که در آن آمده بود شرکت، کار تولید انبوه ناند فلش‌های 128 گیگابایتی چند لایه را آغاز کرده است. محصولات 3D V-NAND سامسونگ در کارخانجات تولیدی این کمپانی در کره تولید می‌شوند.

ساخت این تأسیسات جدید که مساحتی بالع بر 230000 متر مربع دارد در سپتامبر 2012 کلید خورد و پس از حدود 20 ماه به اتمام رسید.  Hangu Sohn مدیر برنامه‌ریزی تولیدات بخش نیمه‌رسانای سامسونگ اظهار داشت که تأسیسات ژیان به خاطر زیرساخت‌های بسیار خوب، نیروی کاری با مهارت و نقش آن به عنوان یک مرکز بسیار مهم در صنعت فناوری اطلاعات چین انتخاب شده است. در این منطقه تقریبا نیمی از حافظه ناند فلش دنیا تولید می‌شود.
کمپانی سامسونگ در نظر دارد که ساخت مرکز ژیان را تا پایان امسال تکمیل نماید که شامل یک کارخانه مونتاژ و همچنین خط تست محصولات می‌باشد. آقای Sohn در این رابطه گفت که این کارخانه به سامسونگ کمک می‌کند که به سرعت نیازهای رو به رشد مشتریان را هم در چین و هم در دیگر کشورهای دنیا برآورده سازد.
سامسونگ تنها شرکت تولید کننده ناند فلش‌های سه بعدی در دنیا نیست. در ماه جولای گذشته، توشیبا اعلام کرد که در حال افزایش دادن ظرفیت تولید ناند فلش‌های خود است و با اتمام فاز دوم ساخت کارخانجات یوکایچی به این مهم دست پیدا خواهد کرد. این کارخانه قادر خواهد بود که فرایند تولید بیسک (BiCS) چند لایه را برای حافظه‌های ناند سه لایه انجام دهد.
اخیرا، توشیبا نیز اعلام کرد که در ساخت یک کارخانه تولیدی جدید در یوکایچی با سندیسک همکاری خواهد کرد و کاربری مجموعه شماره 2 خود را با صرف هزینه‌ای معادل 7 میلیارد دلار ظرف یک بازه زمانی سه ساله تغییر خواهد داد. پیش بینی می‌شود که این پروژه در سپتامبر سال 2015 به اتمام برسد.