ساخت نخستین DDR4 کم مصرف دنیا!

دو کمپانی سامسونگ و اسکای هاینیکس روز دو شنبه اعلام کردند که موفق به ساخت نسل تازه‌ای از چیپ DRAM موبایل شده‌اند که دو برابر مدل‌های فعلی سرعت دارد.
این DRAM جدید که اصطلاحا LPDDR4 یا Low Power DDR4 نام گرفته نخستین چیپ حافظه هشت گیگابایتی در صنعت می‌باشد که با استفاده از فناوری 20 نانومتری با سرعت 3200 مگابیت در ثانیه ساخته شده است و دوبرابر سریع‌تر از مدل LPDDR3 با سرعت 1600 مگابیت بر ثانیه عمل می‌کند.

این دو کمپانی کره‌ای هر یک به طور جداگانه خود را مدعی عنوان نخستین سازنده LPDDR4 می‌دانند. این چیپ DRAM برای عملکرد به جریان برق 1.1 ولتی نیاز دارد که نسبت به جریان 1.2 ولتی مورد استفاده در مدل‌های فعلی LPDDR3 بسیار پایین به شمار می‌رود. تولید انبوه این محصول از نیمه دوم سال 2014 میلادی آغاز خواهد شد.
سامسونگ که هم‌اکنون عنوان بزرگ‌ترین تولیدکننده چیپ‌های کامپیوتری دنیا را در اختیار دارد اعلام کرده است که تمرکز خود را روی تولید ابزارهای موبایل پیشرفته و نوت‌بوک‌های الترا اسلیم یا فوق‌باریک قرار خواهد داد و در ساخت آنها نیز از این چیپ جدید بهره می‌گیرد.

کمپانی اسکای هاینیکس هم اعلام کرده که از این DRAM جدید در ابزارهای موبایل پیشرفته بهره می‌گیرد. هاینیکس این برنامه را از سال آینده میلادی کلید خواهد زد و تا سال 2016 میلادی نام خود را به عنوان اصلی‌ترین تولید کننده این چیپ‌ها مسجل می‌کند و با توسعه و ساخت محصولات کم مصرف و فوق پر سرعت جای پای خود را در حوزه موبایل دنیا تقویت خواهد کرد.