تولید انبوه V-NAND سه بعدی از سال 2016

توشیبا و سندیسک اعلام کرده‌اند که تولید انبوه وی ناند سه بعدی خود موسوم به 3D V-NAND را از سال 2016 میلادی آغاز خواهند کرد و این بدان معناست که دو کمپانی یاد شده سه سال دیرتر از سامسونگ وارد این حوزه خواهند شد.
نخستین نمونه از ناند فلش‌های تولیدی دو کمپانی از نیمه دوم سال آینده میلادی تولید خواهد شد. سانجی مهروتا (Sanjay Mehrota) مدیر اجرایی ارشد سندیسک، هفته گذشته طی کنفرانس صوتی خود با چند تن از سرمایه گذاران و تحلیلگران مالی، اظهار داشت که توسعه فناوری وی ناندهای سه بعدی همچنان ادامه می‌یابد تا به وضعیت قابل قبولی از لحاظ پیشرفت برسد و پیش بینی می‌شود که تولید آزمایشی این محصول از نیمه دوم سال 2015 میلادی آغاز شود.

حافظه‌های سه بعدی وی ناند تا 32 لایه حافظه ناند را تنها در یک چیپ جای می‌دهند. لایه‌های عمومی نیز با استفاده از سیلیکون به یکدیگر متصل شده و بدون نیاز به سلول‌های منفرد کوچک‌تر امکان متراکم نمودن هوا با غلظت بیشتر را فراهم می‌کند (بنابراین نیازی به فناوری تولیدی فوق باریک وجود نخواهد داشت) و این بدان معناست که اطمینان‌پذیری و عملکرد محصول نیز بهبود خواهد یافت.
سامسونگ الکترونیکس از سال 2013 میلادی کار تولید حافظه‌های 3 بعدی وی ناند را آغاز کرده است. استفاده از این نوع حافظه‌ها به سامسونگ امکان می‌دهد که درایوهای سالید استیت یا SSD مقرون به صرفه‌ای را بسازد. چون سندیسک و توشیبا تا چند ماه آینده کار تولید انبوه این نوع حافظه‌ها را آغاز خواهند کرد، این احتمال می‌رود که دو کمپانی مذکور نتوانند با محصولات مقرون به صرفه سامسونگ رقابت کنند.
توشیبا و سندیسک به زودی حافظه‌های فلش MLC و TLC خود را که با استفاده از فرایند 15 نانومتری ساخته شده است آغاز خواهند کرد. در حالی که این فناوری جدید می‌تواند باعث کاهش قیمت ناند شود، این احتمال هم می‌رود که هر بیت از حافظه سه بعدی وی ناند سامسونگ از این هم ارزان‌تر شود.
براساس اطلاعات به دست آمده از سوی تحلیلگران بازار حافظه‌های وی ناند توشیبا و سندیسک تنها تا 16 لایه خواهند داشت.