سامسونگ تولید انبوه SSDهای یک ترابایتی مبتنی بر 3D V-NAND را آغاز کرد

کمپانی سامسونگ طی خبری که روز گذشته منتشر کرد اعلام داشت که کار تولید حافظه‌های ناند فلش سه لایه خود را که با نام 3D VNAND شناخته می‌شوند آغاز کرده است. به گفته سامسونگ این ناند فلش‌ها که قرار است در دیتا سنترها و سرورهای ابری به کار گرفته شوند کار مدیریت ایمیل‌ها، شبکه‌های اجتماعی و مرور وب را بهبود بخشیده و ظرفیت ذخیره‌سازی PCها را به یک ترابایت افزایش خواهند داد.

 سامسونگ پیش‌بینی کرده است که دیتاسنترها کار تعویض SSdهای دو بیتی خود را با انواع چند سطحی سه بیتی تا اواخر امسال آغاز نمایند. به گفته یانگ  هیون جان، معاون اجرایی سامسونگ عرضه SSDهای سه بیتی سامسونگ برای دیتا سنترها توسعه بازار این محصول را بدنبال خواهد داشت. به لطف این SSDهای جدید بهره‌وری سرمایه در دیتاسنترها افزایش می‌یابد و به همین دلیل بازار SSD شاهد رشد قابل ملاحظه‌ای خواهد بود.
در فناوری ناند سه لایه، 32 عدد چیپ به صورت عمودی روی یکدیگر قرار داده می‌شوند و همانگونه که می‌دانید در نسل نخست ناند فلش‌ها تعداد این چیپ‌ها برابر با 24 عدد است. سپس هر یکی از این چیپ‌ها از طریق اتصال خاص خود داده را به چیپ بعدی منتقل می‌کنند. با کوچک‌تر شدن ابزارهای ذخیره‌سازی و بالا رفتن تقاضا برای بیشتر شدن ظرفیت ذخیره‌سازی این ابزارها، تولیدکنندگان نیز باید به دنبال راهکارهایی برای افزایش این ظرفیت و در عین حال کاهش اندازه ابزارهای ذخیره‌سازی باشند.
SSDهای جدید سامسونگ به نام  PM853T نیز در پاسخ به همین نیاز و در قالب ظرفیت‌های 240، 480 و 960 گیگابایت عرضه می‌شوند. سرعت خواندن تصادفی این درایوها برابر با 90000 و سرعت رایت آن برابر با 14000 بیت بر ثانیه می‌باشد. کمپانی سامسونگ همچنین سری جدیدی از SSDهای سه لایه خود را نیز برای استفاده از PC رونمایی کرده است که در ظرفیت‌های 128، 256، 512 گیگابایت و یک ترابایت عرضه می‌شوند.
بنابر ادعای سامسونگ درایوهای ذخیره‌سازی V-NAND آن دو برابر با دوام‌تر از درایوهای مبتنی بر MLC است و مصرف برق آنها نیز در حدود 20 درصد کمتر است.